Infineon ISP Type P-Channel P-Channel, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223
- RS 제품 번호:
- 273-3042
- 제조사 부품 번호:
- ISP26DP06NMSATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 pack of 25 units)*
₩15,800.00
재고있음
- 2,900 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | ₩632.00 | ₩15,820.00 |
| 50 - 75 | ₩584.00 | ₩14,600.00 |
| 100 - 225 | ₩542.00 | ₩13,560.00 |
| 250 - 975 | ₩532.00 | ₩13,300.00 |
| 1000 + | ₩522.00 | ₩13,040.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 273-3042
- 제조사 부품 번호:
- ISP26DP06NMSATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | P-Channel | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | ISP | |
| Package Type | PG-SOT223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 260mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type P-Channel | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series ISP | ||
Package Type PG-SOT223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 260mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel MOSFET in normal and logic level, reducing design complexity in medium and low power applications.
Easy interface to MCU
Fast switching
Avalanche ruggedness
관련된 링크들
- Infineon ISP Type P-Channel P-Channel, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-SOT223 ISP26DP06NMSATMA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, -2.8 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.55 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP98DP10LMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 3.9 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP16DP10LMXTSA1
