Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- RS 제품 번호:
- 273-2997
- 제조사 부품 번호:
- IPB057N06NATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-2997
- 제조사 부품 번호:
- IPB057N06NATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPB057N06N | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -5°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Width | 40 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPB057N06N | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -5°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Width 40 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Length 40mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
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