Microchip TN0606 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0606N3-G

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩15,510.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2025년 12월 29일 부터 680 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 40₩1,551.00₩15,502.48
50 - 90₩1,308.48₩13,094.20
100 - 240₩1,175.00₩11,755.64
250 - 490₩1,152.44₩11,520.64
500 +₩1,128.00₩11,281.88

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
264-8910
제조사 부품 번호:
TN0606N3-G
제조업체:
Microchip
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-92

Series

TN0606

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

2V maximum low threshold

High input impedance

100pF typical low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

관련된 링크들