제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4227PBF

RS 제품 번호:: 262-6757
제조사 부품 번호:: IRFI4227PBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4227PBF

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RS 제품 번호:: 262-6757
제조사 부품 번호:: IRFI4227PBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.036Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Distrelec Product Id	304-41-674
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Distrelec Product Id 304-41-674
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFI4227PBF

The Infineon power MOSFET is specifically designed for sustain energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area and low EPULSE rating.

150 degree Celsius operating junction temperature

High repetitive peak current capability

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 26 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI4227PBF

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