Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7606TRPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩24,131.25

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 9월 14일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
25 - 25₩965.25₩24,121.50
50 - 75₩945.75₩23,634.00
100 - 475₩867.75₩21,703.50
500 - 1975₩787.80₩19,714.50
2000 +₩774.15₩19,344.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
262-6742
제조사 부품 번호:
IRF7606TRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SOIC

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

관련된 링크들