제조사부품번호

Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

RS 제품 번호:: 260-1093
제조사 부품 번호:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

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RS 제품 번호:: 260-1093
제조사 부품 번호:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2000V
	Package Type	AG-EASY3B
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26.5mΩ
	Forward Voltage Vf	6.15V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V
	Package Type AG-EASY3B
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26.5mΩ
	Forward Voltage Vf 6.15V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

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