Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 205 A TSON
- RS 제품 번호:
- 258-3920
- 제조사 부품 번호:
- IQE013N04LM6ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 258-3920
- 제조사 부품 번호:
- IQE013N04LM6ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 205A | |
| Package Type | TSON | |
| Series | IQE | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 205A | ||
Package Type TSON | ||
Series IQE | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS power-MOSFET is best-in-class power MOSFET optimizes the end user experience by challenging the status quo in power density and form factor. One target in power tool design is to minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling a more ergonomic design. Moving the inverter from the handle into the head minimizes the volume of the power tool motor housing while simultaneously keeping the torque of the tool at a reasonably high level for quick and easy action.
superior thermal performance in RthJC
Optimized layout possibilities
Standard and centre-gate footprint
High current capability
More efficient use of PCB area
Highest power density and performance
Optimized footprint for MOSFET parallelization with Centre-Gate
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