Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V TO-263
- RS 제품 번호:
- 257-9437
- 제조사 부품 번호:
- IRFS7530TRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 257-9437
- 제조사 부품 번호:
- IRFS7530TRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 274nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 274nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
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