제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

RS 제품 번호:: 257-9267
제조사 부품 번호:: IRF1018ESTRLPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 800 units)*

₩812,160.00

재고있음

추가로 2025년 12월 29일 부터 2,400 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
800 - 800	₩1,015.20	₩812,761.60
1600 - 2400	₩996.40	₩796,518.40
3200 - 5600	₩975.72	₩780,576.00
6400 +	₩956.92	₩764,934.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 257-9267
제조사 부품 번호:: IRF1018ESTRLPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.4mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.4mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF1018ESTRLPBF

The Infineon IRF series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

관련된 링크들