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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF

RS 제품 번호:: 257-5826
제조사 부품 번호:: IRLHS6276TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF

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RS 제품 번호:: 257-5826
제조사 부품 번호:: IRLHS6276TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±12 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	9.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2 mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 9.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2 mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - IRLHS6276TRPBF

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface-mount power package

Low RDS(on) in a small package

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF

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