제조사부품번호

Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

RS 제품 번호:: 256-7431
제조사 부품 번호:: SIRA12DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 256-7431
제조사 부품 번호:: SIRA12DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0095Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK SO-8
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIRA12DP-T1-GE3

The Vishay Semiconductor N-channel 30 V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) surface mount iTime is halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition and its applications are high power density DC, DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC, DC.

TrenchFET gen IV power mosfet

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Vishay Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

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