Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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RS 제품 번호:
242-5824
제조사 부품 번호:
IPB120N10S405ATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET offers D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements.

N-channel - Normal Level - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

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