Vishay N-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ112E-T1_GE3

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포장 옵션
RS 제품 번호:
239-8676
제조사 부품 번호:
SQJQ112E-T1_GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

445A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00253Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

4.9mm

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is automotive Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Thin package

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