STMicroelectronics STHU36N Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 7-Pin HU3PAK STHU36N60DM6AG

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal 10 units (supplied on a continuous strip)*

₩89,000.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 7월 22일 부터 560 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
10 - 99₩8,900.00
100 - 249₩8,680.00
250 - 499₩8,520.00
500 +₩8,360.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
234-8898P
제조사 부품 번호:
STHU36N60DM6AG
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HU3PAK

Series

STHU36N

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

관련된 링크들