Infineon CoolGaN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 8-Pin LSON IGLD60R190D1AUMA3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 unit)*

₩12,520.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2,020 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩12,520.00
10 - 99₩12,260.00
100 - 249₩12,080.00
250 - 499₩11,800.00
500 +₩11,560.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
232-0419
제조사 부품 번호:
IGLD60R190D1AUMA3
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

LSON

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V enhancement-mode power transistor offers fast turn-on and turn-off speed, minimum switching losses and enables simple half-bridge topologies with the highest efficiency. The gallium nitride CoolGaN 600V series is qualified according to a comprehensive GaN-tailored qualification well beyond existing standards. Its improves system efficiency, improves power density and enables higher operating frequency.

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

관련된 링크들