onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V N, 3-Pin TO-252

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2500 units)*

₩4,371,000.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 12,500 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
2500 - 5000₩1,748.40₩4,369,120.00
7500 - 10000₩1,712.68₩4,281,700.00
12500 +₩1,678.84₩4,196,160.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
229-6452
제조사 부품 번호:
NTD360N65S3H
제조업체:
onsemi
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SUPERFET III

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK


SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III FAST MOSFET series helps minimize various power systems and improve system efficiency.

Features


• 700 V @ TJ = 150°C

• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 17.5 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Fast switching performance with robust body diode

• 100% Avalanche Tested

• RoHS Compliant

• Typ. RDS(on) = 296 m

• Internal Gate Resistance: 0.9

관련된 링크들