제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3

RS 제품 번호:: 228-2950
제조사 부품 번호:: SQJ126EP-T1_GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3

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50 - 95	₩2,350.00	₩11,750.00
100 - 245	₩2,278.56	₩11,392.80
250 - 995	₩2,210.88	₩11,054.40
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RS 제품 번호:: 228-2950
제조사 부품 번호:: SQJ126EP-T1_GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.94mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	101nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.94mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ126EP-T1_GE3

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 30 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ126EP-T1_GE3

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