Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩18,743.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 8월 19일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 740₩1,874.36₩18,743.60
750 - 1490₩1,829.24₩18,292.40
1500 +₩1,799.16₩17,991.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
188-5101
제조사 부품 번호:
SQJ208EP-T1_GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.77V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4.47 mm

Height

1.01mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

TrenchFET® power MOSFET

관련된 링크들