제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

RS 제품 번호:: 228-2916
제조사 부품 번호:: SIRA20BDP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩14,250.40

재고있음

2,980 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
5 - 45	₩2,850.08	₩14,250.40
50 - 95	₩2,763.60	₩13,818.00
100 - 245	₩2,680.88	₩13,404.40
250 - 995	₩2,601.92	₩13,009.60
1000 +	₩2,522.96	₩12,614.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 228-2916
제조사 부품 번호:: SIRA20BDP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	335A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.58mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	124nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 335A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.58mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 124nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIRA20BDP-T1-GE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

관련된 링크들