제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS 제품 번호:: 228-2905
제조사 부품 번호:: SiR570DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩5,482,080.00

일시적 품절

2025년 12월 29일 부터 3,000 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
3000 - 12000	₩1,827.36	₩5,483,772.00
15000 +	₩1,791.64	₩5,374,356.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 228-2905
제조사 부품 번호:: SiR570DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	77.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46.9nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 77.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.9nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR570DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 150 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 77.4 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8

관련된 링크들