제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

RS 제품 번호:: 228-2904
제조사 부품 번호:: SiR510DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

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RS 제품 번호:: 228-2904
제조사 부품 번호:: SiR510DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR510DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

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