제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3

RS 제품 번호:: 228-2899
제조사 부품 번호:: SiR450DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩12,878.00

단종되는 중

최종적인 5,880 개 unit(s)이 배송 준비 됨

수량	한팩당	한팩당*
5 - 45	₩2,575.60	₩12,878.00
50 - 95	₩2,496.64	₩12,483.20
100 - 245	₩2,421.44	₩12,107.20
250 - 995	₩2,353.76	₩11,768.80
1000 +	₩2,282.32	₩11,411.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 228-2899
제조사 부품 번호:: SiR450DP-T1-RE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	113A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	75.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	48W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 113A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 48W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR450DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3

관련된 링크들