Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3

N

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RS 제품 번호:
735-274
제조사 부품 번호:
SIR5406DP-T1-UE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0033Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N channel MOSFET is built for high-efficiency power conversion and control in demanding electronic systems. it ensures robust performance with comprehensive testing, while maintaining compliance with environmental standards. its versatility makes it Ideal for applications requiring reliable rectification, Compact dc/dc solutions, and precise motor drive control.

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