Vishay E Type N-Channel MOSFET, 3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA5N80AE-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩9,360.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.

수량
한팩당
한팩당*
5 - 5₩1,872.00₩9,360.00
10 - 20₩1,817.40₩9,087.00
25 - 95₩1,762.80₩8,814.00
100 - 495₩1,708.20₩8,541.00
500 +₩1,657.50₩8,287.50

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
228-2840
제조사 부품 번호:
SiHA5N80AE-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

관련된 링크들