Vishay E Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩11,674.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 975 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
한팩당*
5 - 10₩2,334.96₩11,674.80
15 - 20₩2,274.80₩11,374.00
25 +₩2,240.96₩11,204.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
210-4961
제조사 부품 번호:
SIHA17N80AE-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

28.1mm

Standards/Approvals

No

Width

9.7 mm

Height

4.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

관련된 링크들