제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS 제품 번호:: 228-2813
제조사 부품 번호:: Si2387DS-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩603,480.00

일시적 품절

2026년 3월 16일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
3000 - 6000	₩201.16	₩605,736.00
9000 - 21000	₩197.40	₩593,328.00
24000 - 42000	₩193.64	₩581,484.00
45000 +	₩189.88	₩569,640.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 228-2813
제조사 부품 번호:: Si2387DS-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - Si2387DS-T1-GE3

The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

관련된 링크들