Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩19,458.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 5,200 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
25 - 25₩778.32₩19,458.00
50 - 75₩763.28₩19,100.80
100 - 225₩752.00₩18,781.20
250 - 475₩736.96₩18,424.00
500 +₩723.80₩18,085.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
222-4687
제조사 부품 번호:
IPN70R1K2P7SATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Width

3.7 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

관련된 링크들