제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252 IRFR4105TRPBF

RS 제품 번호:: 218-3111
제조사 부품 번호:: IRFR4105TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252 IRFR4105TRPBF

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RS 제품 번호:: 218-3111
제조사 부품 번호:: IRFR4105TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Forward Voltage Vf	0.045V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.39 mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Forward Voltage Vf 0.045V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.39 mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR4105TRPBF

The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Lead free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V TO-252 IRFR4105TRPBF

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