Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R1K5CEAUMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 50 units)*

₩41,172.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 3월 19일 부터 2,500 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
50 - 600₩823.44₩41,172.00
650 - 1200₩802.76₩40,138.00
1250 +₩791.48₩39,536.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
217-2521
제조사 부품 번호:
IPD60R1K5CEAUMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

49W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

관련된 링크들