제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-262

RS 제품 번호:: 214-4447
제조사 부품 번호:: IRF3205ZLPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-262

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 50 units)*

₩101,050.00

마지막 RS 재고

최종적인 5,250 개 unit(s)이 배송 준비 됨

수량	한팩당	Per Tube*
50 - 50	₩2,021.00	₩101,087.60
100 - 150	₩1,960.84	₩98,042.00
200 +	₩1,902.56	₩95,109.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 214-4447
제조사 부품 번호:: IRF3205ZLPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-262
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	170W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 110A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-262
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 170W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF3205ZLPBF

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche

It is lead-free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-262

관련된 링크들