Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4CEATMA1

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포장 옵션
RS 제품 번호:
214-4396
제조사 부품 번호:
IPD80R1K4CEATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

This Infineon 800V Cool MOS CE MOSFET has high voltage capability that combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

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