Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- RS 제품 번호:
- 210-5048
- 제조사 부품 번호:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
₩2,284,200.00
공급 부족
- 3,000 개 단위 배송 준비 완료
당사의 현재 재고는 제한중이며, 제조사측에서는 공급 부족을 예상하고 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩761.40 | ₩2,285,892.00 |
| 6000 - 9000 | ₩746.36 | ₩2,240,208.00 |
| 12000 + | ₩723.80 | ₩2,173,092.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 210-5048
- 제조사 부품 번호:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.9mm | |
| Width | 4.37 mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.9mm | ||
Width 4.37 mm | ||
Height 1.07mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.
TrenchFET® power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
관련된 링크들
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ504EP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 90 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 114 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SO-8