Vishay N-Channel MOSFET, 430 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR178DP-T1-RE3

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RS 제품 번호:
210-4999
제조사 부품 번호:
SIR178DP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Leadership RDS(ON) minimizes power loss from conduction

2.5 V ratings and operation at low voltage gate drive

100 % Rg and UIS tested

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