onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 450 units)*

₩3,390,768.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 4월 27일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
450 - 450₩7,535.04₩3,391,021.80
900 - 1350₩7,384.64₩3,323,172.60
1800 +₩7,162.80₩3,223,513.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
202-5706
제조사 부품 번호:
NTHL160N120SC1
제조업체:
onsemi
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

20.82mm

Length

15.87mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

160mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

관련된 링크들