Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩2,679,000.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 4월 27일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩893.00₩2,677,872.00
6000 - 9000₩874.20₩2,624,292.00
12000 +₩847.88₩2,545,332.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
200-6854
제조사 부품 번호:
SiSS22LDN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

92.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.3mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 is a N-channel 60V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

관련된 링크들