Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 11 A, 60 V TO-220AB

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RS 제품 번호:
180-8692
제조사 부품 번호:
IRF9Z24PBF
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220AB

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.28Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 280mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 60W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Dynamic dV/dt rating

• Ease of paralleling

• Fast switching

• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Repetitive avalanche rated

• Simple drive requirements

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Battery chargers

• Inverters

• Power supplies

• Switching mode power supply (SMPS)

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