Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩21,450.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 70 개 단위 배송
  • 추가로 2026년 1월 05일 부터 400 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 620₩2,145.08₩21,450.80
630 - 1240₩2,092.44₩20,924.40
1250 +₩2,060.48₩20,604.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
171-1945
제조사 부품 번호:
IPD200N15N3GATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

IPD200N15N3 G

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.36mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS part.

Excellent switching performance

Worlds lowest R DS(on)

관련된 링크들