Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD048N06L3GATMA1
- RS 제품 번호:
- 273-3001
- 제조사 부품 번호:
- IPD048N06L3GATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 273-3001
- 제조사 부품 번호:
- IPD048N06L3GATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.48mm | |
| Height | 6.223mm | |
| Width | 6.731 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.48mm | ||
Height 6.223mm | ||
Width 6.731 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
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