Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

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RS 제품 번호:
165-6899
제조사 부품 번호:
SI1025X-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Transistor Configuration

Isolated

Series

TrenchFET

Number of Elements per Chip

2

Channel Type

Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

135 mA

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

6

Package Type

SC-89-6

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

-1.4 V

Height

600 μm

Length

1.7 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

8 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

250 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

1.7 nC

Width

1.2 mm

COO (Country of Origin):
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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