Vishay Single Si7129DN 1 Type P, Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7129DN-T1-GE3

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RS 제품 번호:
165-6294
제조사 부품 번호:
SI7129DN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Transistor Configuration

Single

Series

Si7129DN

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

35 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

30 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.2 V

Height

1.07 mm

Length

3.15 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

20 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

52.1 W

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

24.6 nC

Width

3.15 mm

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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