제조사부품번호

ROHM RQ6E050AJ Type N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT-6 RQ6E050AJTCR

RS 제품 번호:: 133-3306
제조사 부품 번호:: RQ6E050AJTCR
제조업체:: ROHM

ROHM RQ6E050AJ Type N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT-6 RQ6E050AJTCR

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩16,591.00

단종되는 중

최종적인 1,575 개 unit(s)이 배송 준비 됨

수량	한팩당	한팩당*
25 - 100	₩663.64	₩16,600.40
125 - 225	₩646.72	₩16,186.80
250 - 1225	₩631.68	₩15,773.20
1250 - 2475	₩614.76	₩15,378.40
2500 +	₩599.72	₩14,983.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 133-3306
제조사 부품 번호:: RQ6E050AJTCR
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSMT-6
	Series	RQ6E050AJ
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	50mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	0.95mm
	Width	1.8 mm
	Length	3mm

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSMT-6
	Series RQ6E050AJ
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 0.95mm
	Width 1.8 mm
	Length 3mm

COO (Country of Origin):: JP

ROHM RQ6E050AJ Type N-Channel MOSFET, 5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT-6 RQ6E050AJTCR

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

관련된 링크들