IXYS Trench Type N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXTH110N25T

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩14,400.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 41 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 7₩14,400.80
8 - 14₩14,043.60
15 +₩13,836.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
125-8047
Distrelec 제품 번호:
302-53-421
제조사 부품 번호:
IXTH110N25T
제조업체:
IXYS
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-247

Series

Trench

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.3 mm

Standards/Approvals

No

Height

21.46mm

Length

16.26mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253421

N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET Technology

Low on-state Resistance RDS(on)

Superior avalanche ruggedness

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

관련된 링크들