제조사부품번호

Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS 제품 번호:: 124-2287
제조사 부품 번호:: BSH108,215
제조업체:: Nexperia

Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩530,160.00

일시적 품절

2026년 5월 27일 부터 3,000 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
3000 - 12000	₩176.72	₩531,288.00
15000 +	₩169.20	₩509,856.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 124-2287
제조사 부품 번호:: BSH108,215
제조업체:: Nexperia

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	BSH108
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	830mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.4nC
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4 mm
	Length	3mm
	Height	1mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series BSH108
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 830mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.4 mm
	Length 3mm
	Height 1mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Nexperia BSH108 Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

관련된 링크들