Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩242,520.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 9월 10일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩80.84₩240,828.00
6000 - 9000₩78.96₩236,316.00
12000 +₩77.08₩231,240.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
170-4850
제조사 부품 번호:
BSH111BKR
제조업체:
Nexperia
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

335mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-23

Series

BSH111BK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Length

3mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

관련된 링크들