제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

RS 제품 번호:: 814-1213
제조사 부품 번호:: SIA449DJ-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 814-1213
제조사 부품 번호:: SIA449DJ-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-363
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.038Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +12V
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.15mm
	Height	800μm
	Width	2.15mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-363
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.038Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23.1nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.15mm
	Height 800μm
	Width 2.15mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET Type P-Channel Power MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SIA449DJ-T1-GE3

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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