ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 40 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9G120BLFRATCR
- RS 제품 번호:
- 780-676
- 제조사 부품 번호:
- RF9G120BLFRATCR
- 제조업체:
- ROHM
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 tape of 10 units)*
₩10,725.00
일시적 품절
- 2026년 6월 26일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | ₩1,072.50 | ₩10,734.75 |
| 100 - 490 | ₩945.75 | ₩9,449.70 |
| 500 + | ₩762.45 | ₩7,620.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 780-676
- 제조사 부품 번호:
- RF9G120BLFRATCR
- 제조업체:
- ROHM
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | ROHM | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN2020Y7LSAA | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.65mm | |
| Width | 2.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 2.1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 ROHM | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN2020Y7LSAA | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.65mm | ||
Width 2.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 2.1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This robust device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient performance in demanding vehicle environments.
Drain to source voltage of 40 V
Continuous drain current of 12 A
18 mOhm typical on-resistance
High power dissipation of 23 W
관련된 링크들
- ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9L120BLFRATCR
- ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 7-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BLFRATCR
- ROHM RF9P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs, 100 V Enhancement, 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BKFRATCR
- ROHM RF9L120BKFRA Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Depletion, 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9L120BKFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
- ROHM RF9 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BKFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM RF4L Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 60 V N, 8-Pin HUML2020L8 RF4L070BGTCR
