ROHM P-Channel MOSFET, 4 A, -40 V, 3-Pin SOT-346T RQ5G040ATTCL
- RS 제품 번호:
- 780-668
- 제조사 부품 번호:
- RQ5G040ATTCL
- 제조업체:
- ROHM
N
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 tape of 25 units)*
₩9,555.00
신제품 - 오늘 사전 주문하세요
- 2026년 6월 25일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | ₩382.20 | ₩9,558.90 |
| 250 - 1225 | ₩335.40 | ₩8,404.50 |
| 1250 + | ₩271.05 | ₩6,770.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 780-668
- 제조사 부품 번호:
- RQ5G040ATTCL
- 제조업체:
- ROHM
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | SOT-346T | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 57mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type SOT-346T | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 57mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Small Signal MOSFET delivers high-performance P-channel switching for motor drive and power management. This Compact device is engineered for high-efficiency operation, featuring low on-resistance to minimise energy loss and heat generation.
Drain to source voltage of 40 V
Continuous drain current of 4.0 A
46 mOhm typical on-resistance at 10 V
Gate-source threshold voltage of 2.5 V
관련된 링크들
- ROHM P-Channel MOSFET, 3 A, -40 V, 3-Pin SOT-346T RQ5L030ATTCL
- ROHM RQ5E040TN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RQ5E040TNTL
- ROHM RQ5E040TN Type N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
- ROHM RQ5C030TP Type P-Channel MOSFET, -3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
- ROHM RRR040P03HZG Type P-Channel MOSFET, -4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346
- ROHM RRR040P03HZG Type P-Channel MOSFET, -4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RRR040P03HZGTL
- ROHM RQ5C030TP Type P-Channel MOSFET, -3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RQ5C030TPTL
- ROHM RQ5E035AT Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SC-96 RQ5E035ATTCL
