STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 11.5 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT190R70ILB

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 unit)*

₩3,320.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 300 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩3,320.00
10 - 24₩2,920.00
25 +₩2,620.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
719-635
제조사 부품 번호:
SGT190R70ILB
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Channel Type

P-Channel

Product Type

Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

11.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

PowerFLAT

Series

G-HEMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-6, 7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Width

8.1mm

Length

8.1mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics 700 V 11.5 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

ESD safeguard

관련된 링크들