Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3

N

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tape of 1 unit)*

₩2,522.96

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 3,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
Tape(s)
Per Tape
1 - 24₩2,522.96
25 - 99₩2,438.36
100 - 499₩2,397.00
500 - 999₩2,039.80
1000 +₩1,913.84

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
653-069
제조사 부품 번호:
SQJA36EP-T1_JE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

350A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK

Series

SQJA36EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00124Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.25 mm

Length

6.25mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay automotive-grade N-channel MOSFET built for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and handles continuous drain currents up to 350 A, making it Ideal for demanding automotive applications. Packaged in PowerPAK SO-8L, it features TrenchFET Gen IV technology for ultra-low RDS(on) and optimized switching performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

관련된 링크들