onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V N, 4-Pin TO-247-4L NTH4L032N065M3S

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포장 옵션
RS 제품 번호:
327-805
제조사 부품 번호:
NTH4L032N065M3S
제조업체:
onsemi
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브랜드

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

NTH

Package Type

TO-247-4L

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

44mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

6V

Maximum Power Dissipation Pd

187W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET, EliteSiC, is a 650 V, 32 mΩ device in the M3S TO247-4L package. It features ultra-low gate charge (QG(tot) = 55 nC) and high-speed switching with low capacitance (Coss = 114 pF). The device is 100% avalanche tested and is halide-free and RoHS compliant with exemption 7a. It is also Pb-free on the second-level interconnection, making it suitable for demanding power electronics applications.

High efficiency and reduced switching losses

Robust and reliable operation in harsh environments

Ideal for automotive industrial and renewable energy applications

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